Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FQP50N06 JSMicro
FQP50N06

FQP50N06 JSMicro

fqp50n06-d.pdf
Produktcode: 193976
Hersteller: JSMicro
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
auf Bestellung 150 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FQP50N06 nach Preis ab 1.04 EUR bis 2.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584489-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP50N06 Hersteller : JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FQP50N06 Hersteller : ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ON Semiconductor fqp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi fqp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : onsemi / Fairchild FQP50N06_D-2313940.pdf MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
FQP50N06 FQP50N06 Hersteller : ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQP50N06 FQP50N06
Produktcode: 31258 		Hersteller : Fairchild fqp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

SCS-8 (ICVT-8P) (Platte für Mikroschaltung)
Produktcode: 24961
SCS-8 (ICVT-8P) (Platte für Mikroschaltung)
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Plattenverbinder
Beschreibung: Platte DIP-8
К-сть контактів: 8
Тип панелі: Стандартні DIP
verfügbar: 2438 Stück
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.052 EUR
100+ 0.028 EUR
MBR20100CTG
Produktcode: 26154		 description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 278 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 Stück:
500 Stück - erwartet 05.07.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.48 EUR
10+ 0.42 EUR
LCR-T7 Transistor-Tester FNIRSI multifunktionaler TFT Transistor-Tester
Produktcode: 163680		 lcr-t7-datasheet.pdf
LCR-T7 Transistor-Tester FNIRSI multifunktionaler TFT Transistor-Tester
+2
Hersteller: FNIRSI
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер напівпровідників
Beschreibung: Тестер напівпровідників в корпусі, ESR метр. Автоматична ідентифікація радіоелектронних компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N- канальний і Р- канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тиристор, симістор.
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 112 Stück:
100 Stück - erwartet 16.08.2024
RFP50N06LE
Produktcode: 189268		 JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 154 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Набір жал для паяльника 10шт
Produktcode: 201221
Набір жал для паяльника 10шт
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях.
Beschreibung: Набір із 10 жал серії 900М-T. 900M-T-I / 900M-T-B / 900M-T-K / 900M-T-0.8 / 900M-T-1.2D / 900M-T-2.4D / 900M-T-3.2D / 900M-T-1C / 900M-T-2C / 900M-T-3C.
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)