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FQP3N30 ONSEMI
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Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 468 Stücke:
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Technische Details FQP3N30 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQP3N30
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FQP3N30 | Hersteller : FAIRCHIL |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP3N30 Produktcode: 173281 |
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Produkt ist nicht verfügbar
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FQP3N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQP3N30 | Hersteller : onsemi |
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FQP3N30 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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