FQP30N06 ON Semiconductor
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Technische Details FQP30N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQP30N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP30N06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V |
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FQP30N06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 79 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FQP30N06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel QFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP30N06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21.3A; Idm: 120A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |