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FQP19N20C

FQP19N20C ONSEMI

ONSM-S-A0003585108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 139
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Technische Details FQP19N20C ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FQP19N20C FQP19N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf19n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP19N20C FQP19N20C Hersteller : ON Semiconductor fqpf19n20cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP19N20C FQP19N20C Hersteller : onsemi fqpf19n20c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
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FQP19N20C FQP19N20C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF19N20C_D-2313996.pdf MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
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