Weitere Produktangebote FQP11N40C nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FQP11N40C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 48 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQP11N40C | Hersteller : ON Semiconductor |
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