![FQD1N60CTM FQD1N60CTM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO252A03%7E%7E2.jpg)
FQD1N60CTM onsemi
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Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FQD1N60CTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQD1N60CTM nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.3 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FQD1N60CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD1N60CTM | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD1N60CTM | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD1N60CTM | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD1N60CTM | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQD1N60CTM | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |