FQB27P06TM onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 6+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.66 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
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Technische Details FQB27P06TM onsemi
Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FQB27P06TM nach Preis ab 1.42 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQB27P06TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V P-Channel QFET |
auf Bestellung 11949 Stücke: Lieferzeit 960-964 Tag (e) |
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FQB27P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB27P06TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQB27P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB27P06TM Produktcode: 165405 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQB27P06TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB27P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQB27P06TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19.1A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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