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FQA13N80-F109 ONSEMI
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 4.76 EUR |
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Technische Details FQA13N80-F109 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA13N80-F109 nach Preis ab 3.53 EUR bis 27.69 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 50.4A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA13N80_F109 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA13N80_F109 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQA13N80_F109 | Hersteller : FAIRCHILD | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 14850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA13N80_F109 Produktcode: 178511 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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