FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
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| 30+ | 158.24 EUR |
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Technische Details FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FP50R12KE3BOSA1 nach Preis ab 228.69 EUR bis 284.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 280W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V |
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