FP25R12W2T4 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
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Technische Details FP25R12W2T4 INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FP25R12W2T4 nach Preis ab 73.11 EUR bis 96.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FP25R12W2T4 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 39A |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FP25R12W2T4 | Hersteller : EUPEC | 25A/1200V/PIM/7U |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FP25R12W2T4 Produktcode: 58899 |
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