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FMBM5551 ON Semiconductor
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Technische Details FMBM5551 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.
Weitere Produktangebote FMBM5551 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FMBM5551 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 81395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 32143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : FAIRCHIL |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FMBM5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FMBM5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FMBM5551 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TSOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FMBM5551 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TSOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
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