![FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/TO_247_3_t.jpg)
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Technische Details FGY60T120SQDN onsemi
Description: IGBT 1200V 60A UFS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.
Weitere Produktangebote FGY60T120SQDN nach Preis ab 13.18 EUR bis 18.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGY60T120SQDN | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 311 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 517 W |
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FGY60T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGY60T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGY60T120SQDN | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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