FGY100T120RWD onsemi
Hersteller: onsemiIGBT Transistors 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT ? Power, Co-PAK
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Technische Details FGY100T120RWD onsemi
Description: 1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 347 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns, Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 427 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 1495 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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FGY100T120RWD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.495kW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| FGY100T120RWD | Hersteller : onsemi |
Description: 1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 347 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off) Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 427 nC Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 1495 W |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGY100T120RWD | Hersteller : ON Semiconductor |
1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK |
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FGY100T120RWD | Hersteller : ON Semiconductor |
1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGY100T120RWD | Hersteller : ON Semiconductor |
1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK |
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| FGY100T120RWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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