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FGHL50T65SQDT

FGHL50T65SQDT onsemi

fghl50t65sqdt-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
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Technische Details FGHL50T65SQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns, Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

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FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT Hersteller : onsemi FGHL50T65SQDT_D-2313151.pdf IGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
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FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT Hersteller : ON Semiconductor fghl50t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT Hersteller : ON Semiconductor fghl50t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL50T65SQDT Hersteller : ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
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