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FGHL40T120RWD

FGHL40T120RWD onsemi

fghl40t120rwd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
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Technische Details FGHL40T120RWD onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 248 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns, Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 174 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 600 W.

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FGHL40T120RWD FGHL40T120RWD Hersteller : onsemi FGHL40T120RWD_D-3366847.pdf IGBT Transistors 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A FS7 Low Vcesat IGBT Discrete
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FGHL40T120RWD Hersteller : ON Semiconductor fghl40t120rwd-d.pdf 1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
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FGHL40T120RWD Hersteller : ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
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