![FGH60N60SMD FGH60N60SMD](/img/to-247.jpg)
FGH60N60SMD FAIR
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Produktcode: 60291
Hersteller: FAIRGehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar 62 Stück:
6 Stück - stock Köln
56 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet 6 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 7307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 39 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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Mit diesem Produkt kaufen
IR2110STRPBF Produktcode: 45805 |
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Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-16
Uc, V: 600
I o +/-, A: 2/2
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
FGH40N60SMD Produktcode: 63296 |
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Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 77 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.8 EUR |
SS8550-H Produktcode: 160700 |
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350
auf Bestellung 1140 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 850 Stück:
850 Stück - erwartetIRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 1701 Stück
erwartet:
50 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.34 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
L7812CV Produktcode: 29158 |
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 1518 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.22 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |