![FGH50T65UPD FGH50T65UPD](https://www.mouser.com/images/fairchildsemiconductor/lrg/TO_247_3_t.jpg)
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Technische Details FGH50T65UPD onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.
Weitere Produktangebote FGH50T65UPD nach Preis ab 5.21 EUR bis 8.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGH50T65UPD | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 340 W |
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FGH50T65UPD | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH50T65UPD | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH50T65UPD | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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