Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FGH40T120SMD-F155
FGH40T120SMD-F155

FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor


fgh40t120smd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
450+8.39 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 555 W.

Weitere Produktangebote FGH40T120SMD-F155 nach Preis ab 8.42 EUR bis 21.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+8.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.34 EUR
30+ 11.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
50+ 11.33 EUR
250+ 10.33 EUR
450+ 9.1 EUR
900+ 8.59 EUR
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ONSEMI 4097325.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+21.86 EUR
5+ 14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+21.86 EUR
5+ 14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155
Produktcode: 154761
fgh40t120smd-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar