FGH40N60UFDTU ON Semiconductor
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Technische Details FGH40N60UFDTU ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.
Weitere Produktangebote FGH40N60UFDTU nach Preis ab 3.66 EUR bis 7.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU Produktcode: 61781 |
Hersteller : FAIR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,8 Ic 25: 80 Ic 100: 40 Pd 25: 290 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/112 |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FGH40N60UFDTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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