![FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109](https://www.mouser.com/images/fairchildsemiconductor/lrg/TO3P.jpg)
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Technische Details FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.65 DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 312 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FGA25N120ANTDTU-F109 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
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