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Technische Details FFSM1265A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 12.5A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSM1265A nach Preis ab 4.85 EUR bis 9.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FFSM1265A | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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FFSM1265A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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FFSM1265A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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FFSM1265A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
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FFSM1265A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
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FFSM1265A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSM1265A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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