FFSH20120ADN-F155 onsemi / Fairchild
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Technische Details FFSH20120ADN-F155 onsemi / Fairchild
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote FFSH20120ADN-F155 nach Preis ab 13.18 EUR bis 17.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FFSH20120ADN-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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FFSH20120ADN-F155 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 20A |
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