FFSB0865B-F085 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 3.93 EUR |
| 1600+ | 3.37 EUR |
| 2400+ | 3.17 EUR |
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Technische Details FFSB0865B-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FFSB0865B-F085 nach Preis ab 3.19 EUR bis 6.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FFSB0865B-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10.1A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSB0865B-F085 | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5 |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSB0865B-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSB0865B-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0865B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFSB0865B-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 10.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFSB0865B-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 10.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |