FF600R17ME4BOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 950A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 950A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 950A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 950A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details FF600R17ME4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 950A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: EconoDUAL 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 950A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FF600R17ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF600R17ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE VCES 1700V 600A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |