auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 293.57 EUR |
10+ | 274.95 EUR |
50+ | 264.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF600R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FF600R12KE7EHPSA1 nach Preis ab 386.74 EUR bis 437.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF600R12KE7EHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||
FF600R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 92.3 nF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
FF600R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
FF600R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||
FF600R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |