FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
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| 1+ | 182.88 EUR |
| 10+ | 165.33 EUR |
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Technische Details FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF225R12ME4BOSA1 nach Preis ab 153.62 EUR bis 213.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray |
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