FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 243.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 310A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 310A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF200R17KE3HOSA1 nach Preis ab 277.78 EUR bis 296.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1700V 310A 1250WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 310A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
|
FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
|
FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |