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FF17MR12W1M1HB70BPSA1

FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon_FF17MR12W1M1H_B70_DataSheet_v00_20_EN-3367054.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
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Technische Details FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FF17MR12W1M1HB70BPSA1 FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: SIC 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
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FF17MR12W1M1HB70BPSA1 FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Hersteller : INFINEON 3968291.pdf Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies ff17mr12w1m1h_b70.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A
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