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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FF17MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 175.17 EUR bis 183.81 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
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auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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