FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF11MR12W1M1B11BOMA1 nach Preis ab 275.12 EUR bis 321.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: CoolSic productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete |
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