FF100R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF100R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 780W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 780 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 650 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FF100R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF100R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 780W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 650 nF @ 25 V |
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| FF100R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
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