FEPB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 66-70 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.53 EUR |
10+ | 2.16 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FEPB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8Ax2; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 600V, Load current: 8A x2, Reverse recovery time: 50ns, Semiconductor structure: common cathode; double, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 60pF, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 125A, Leakage current: 500µA, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote FEPB16JT-E3/45
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FEPB16JT-E3/45 | Hersteller : Vishay | Diode Switching 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FEPB16JT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO263AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FEPB16JT-E3/45 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8Ax2; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 600V Load current: 8A x2 Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 60pF Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 125A Leakage current: 500µA Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |