![FDV303N FDV303N](/img/sot-23.jpg)
FDV303N Fairchild
![fdv303n-108963-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 46231
Hersteller: FairchildUds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
JHGF: SMD
auf Bestellung 349 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDV303N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
auf Bestellung 145092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 9858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 5359 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : VBsemi |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV303N | Hersteller : ON Semiconductor |
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Mit diesem Produkt kaufen
IRLML6346TRPBF Produktcode: 48281 |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1886 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.1 EUR |
10+ | 0.09 EUR |
IRLML2402TRPBF Produktcode: 1173 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 4815 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.12 EUR |
IRLML2502TRPBF Produktcode: 25595 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1350 Stück
erwartet:
4300 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.12 EUR |
10+ | 0.11 EUR |
100+ | 0.1 EUR |
IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 9165 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.11 EUR |
10+ | 0.1 EUR |
100+ | 0.09 EUR |
1000+ | 0.08 EUR |
IRLML6344TRPBF Produktcode: 42697 |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 806 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.25 EUR |
10+ | 0.19 EUR |