FDT4N50NZU onsemi
Hersteller: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
auf Bestellung 3774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 2.11 EUR |
| 11+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.87 EUR |
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Technische Details FDT4N50NZU onsemi
Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote FDT4N50NZU nach Preis ab 0.88 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDT4N50NZU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT4N50NZU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDT4N50NZU | Hersteller : onsemi |
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 ohm, SOT223 Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 ohm, SOT223 |
auf Bestellung 7151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT4N50NZU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 2A Reel |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDT4N50NZU | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V |
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