FDS9958 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FDS9958 onsemi
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS9958 nach Preis ab 0.6 EUR bis 9.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDS9958 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9958 | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9958 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9958 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9958 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS9958 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS9958 | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9958 Produktcode: 177119 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS9958 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS9958 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS9958 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS9958 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench |
Produkt ist nicht verfügbar |