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FDS9933A onsemi
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Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 0.73 EUR |
5000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details FDS9933A onsemi
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS9933A nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9933A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9933A | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 11983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9933A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDS9933A | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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