FDS6679AZ Fairchild
Produktcode: 34125
Hersteller: FairchildGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar 57 Stück:
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 27375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1449 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 14242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 27464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : Fairchild |
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
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Si4835DDY Produktcode: 101041 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.018
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.018
/: SMD
verfügbar: 22 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.2 EUR |
10+ | 0.95 EUR |
Флюс для пайки алюминия 25мл Produktcode: 176725 |
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Флюс активний
Опис: Флюс для пайки алюмінію, нержавіючих сталей, нікелю, міді та інших металів. Не потрібно промивки після пайки. За необхідності залишки флюсу можна стерти тканиною.
Вага/Об’єм/К-сть: 25 ml
Категорія: Флюс активний
Опис: Флюс для пайки алюмінію, нержавіючих сталей, нікелю, міді та інших металів. Не потрібно промивки після пайки. За необхідності залишки флюсу можна стерти тканиною.
Вага/Об’єм/К-сть: 25 ml
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF7416TRPBF Produktcode: 25625 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 210 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
100+ | 0.31 EUR |
MCP6001T-I/OT Produktcode: 25675 |
Hersteller: Microchip
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5V
BW, MHz: 1
Vio, mV(Biasspannung): -4,5...+4,5
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5V
BW, MHz: 1
Vio, mV(Biasspannung): -4,5...+4,5
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.26 EUR |
IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 62 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.28 EUR |
10+ | 0.16 EUR |