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FDS6675BZ ON Semiconductor

Name: FDS6675BZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: 13893730-5
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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Technische Details FDS6675BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote FDS6675BZ nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.97 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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FDS6675BZ

Hersteller : onsemi

ONSM-S-A0003584944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V

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FDS6675BZ

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis ohne MwSt
90+	0.8 EUR
93+	0.78 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : ONSEMI

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FDS6675BZ

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET

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3+	1.02 EUR
10+	0.91 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.65 EUR
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2500+	0.52 EUR
5000+	0.51 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 4989 Stücke:

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143+	1.1 EUR
145+	1.05 EUR
193+	0.75 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.39 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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116+	1.36 EUR
143+	1.06 EUR
145+	1.01 EUR
193+	0.73 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.39 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V

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FDS6675BZ

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm

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FDS6675BZ

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm

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FDS6675BZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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FDS6675BZ

Hersteller : ON-Semicoductor

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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20+	1.97 EUR

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FDS6675BZ

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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FDS6675BZ
Produktcode: 57036

Hersteller : ON

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1855/44

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