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FDPF51N25

FDPF51N25 ONSEMI

FDPF51N25.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
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Technische Details FDPF51N25 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V.

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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : ONSEMI FDPF51N25.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : onsemi fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V
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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 117
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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FDPF51N25 Hersteller : ON-Semicoductor fdpf51n25rdtu-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C; FDPF51N25 TFDPF51n25
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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FDPF51N25
Produktcode: 128803 		fdpf51n25rdtu-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : ON Semiconductor 3944860003935757fdpf51n25rdtu-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF51N25 FDPF51N25 Hersteller : onsemi / Fairchild FDPF51N25RDTU_D-2313057.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET
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