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Technische Details FDPF39N20 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDPF39N20 nach Preis ab 1.54 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDPF39N20 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V |
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FDPF39N20 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| FDPF39N20 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55°C ~ 150°C; FDPF39N20 TFDPF39n20 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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FDPF39N20 Produktcode: 101352 |
Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
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FDPF39N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FDPF39N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FDPF39N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FDPF39N20 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDPF39N20 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
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