![FDP61N20 FDP61N20](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fee66d5bbefbe47bcf90d79e914b9a646481854f/cs-5203a.jpg)
FDP61N20 ON Semiconductor
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 3.56 EUR |
48+ | 3.14 EUR |
100+ | 2.53 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDP61N20 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDP61N20 nach Preis ab 1.75 EUR bis 5.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 6078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
FDP61N20 | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDP61N20 Produktcode: 150150 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDP61N20 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |