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FDP33N25 ONSEMI
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220AB
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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31+ | 2.37 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
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47+ | 1.54 EUR |
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Technische Details FDP33N25 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDP33N25 nach Preis ab 1.43 EUR bis 3.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP33N25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Power dissipation: 235W Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 48nC On-state resistance: 94mΩ Kind of channel: enhanced Drain current: 20.4A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 250V Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP33N25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP33N25 |
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auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDP33N25 Produktcode: 107817 |
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FDP33N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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