Technische Details FDP2D9N12C onsemi
N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDP2D9N12C | Hersteller : ON Semiconductor | N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel |
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FDP2D9N12C | Hersteller : onsemi | Description: PTNG 120V N-FET TO220 |
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