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FDP2D3N10C onsemi
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Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
auf Bestellung 162544 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 10.05 EUR |
50+ | 8.02 EUR |
100+ | 7.18 EUR |
500+ | 6.33 EUR |
1000+ | 5.7 EUR |
2000+ | 5.34 EUR |
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Technische Details FDP2D3N10C onsemi
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDP2D3N10C nach Preis ab 5.76 EUR bis 10.16 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP2D3N10C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDP2D3N10C | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 888A Mounting: THT Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP2D3N10C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 888A Mounting: THT Case: TO220-3 |
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