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FDP083N15A-F102 ONSEMI
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 5.63 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
18+ | 4.1 EUR |
100+ | 4.09 EUR |
250+ | 3.93 EUR |
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Technische Details FDP083N15A-F102 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDP083N15A-F102 nach Preis ab 2.69 EUR bis 7.88 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A_F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A_F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 9107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A-F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP083N15A_F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP083N15A_F102 | Hersteller : ON Semiconductor |
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