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FDP060AN08A0

FDP060AN08A0 ONSEMI

fdp060an08a0-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+3.6 EUR
23+ 3.23 EUR
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Technische Details FDP060AN08A0 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V.

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FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Hersteller : ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Hersteller : onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
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FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Hersteller : onsemi / Fairchild FDP060AN08A0_D-2312719.pdf MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Hersteller : ON Semiconductor fdp060an08a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Hersteller : ON Semiconductor fdp060an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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