FDMT80040DC onsemi / Fairchild
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Technische Details FDMT80040DC onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Dual Cool PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMT80040DC nach Preis ab 7.21 EUR bis 12.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMT80040DC | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V |
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FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 265A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 338nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2644A Case: DFNW8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMT80040DC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V |
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| FDMT80040DC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 265A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 338nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2644A Case: DFNW8 |
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