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FDMS8680 ON Semiconductor
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Technische Details FDMS8680 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMS8680 nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDMS8680 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS8680 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDMS8680 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8680 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS8680 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: Power56 Gate charge: 26nC Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS8680 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V |
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FDMS8680 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: Power56 Gate charge: 26nC Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A |
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