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FDMS86500DC ON Semiconductor
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Technische Details FDMS86500DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMS86500DC nach Preis ab 2.05 EUR bis 5.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86500DC | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V |
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FDMS86500DC | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86500DC | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V |
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FDMS86500DC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
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FDMS86500DC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86500DC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS86500DC | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Gate charge: 107nC Polarisation: unipolar Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power56 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86500DC | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Gate charge: 107nC Polarisation: unipolar Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power56 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD |
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