FDMS86263P onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
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Technische Details FDMS86263P onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMS86263P nach Preis ab 2.49 EUR bis 5.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V |
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FDMS86263P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
auf Bestellung 81232 Stücke: Lieferzeit 451-455 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS86263P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W Mounting: SMD Drain-source voltage: -150V Drain current: -4.4A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Case: Power56 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86263P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMS86263P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W Mounting: SMD Drain-source voltage: -150V Drain current: -4.4A On-state resistance: 64mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Case: Power56 |
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